Descripción general del producto
Los objetivos planos de pulverización catódica de titanio se producen a partir de lingotes de titanio fundidos por inducción al vacío y procesados termomecánicamente. Diseñados para configuraciones de pulverización catódica con magnetrones de CC y RF, estos objetivos planos proporcionan una deposición de películas delgadas-estables y uniformes en líneas de fabricación de semiconductores, cámaras de recubrimiento óptico y sistemas PVD industriales. Las microestructuras controladas garantizan tasas de erosión objetivo constantes, rendimientos de pulverización predecibles y una generación mínima de partículas durante funcionamientos prolongados de alta-potencia.
Especificaciones técnicas
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Parámetro |
Rango de especificaciones |
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Pureza de los materiales |
99,9% (3N) a 99,999% (5N) |
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Dimensiones estándar |
Rectangular: Hasta 3000 mm de longitud; Circular: Diámetro 50 mm a 450 mm |
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Rango de espesor |
3 mm a 25 mm (Personalizable) |
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Microestructura |
Tamaño de grano fino < 100 μm con orientación aleatoria uniforme |
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Densidad |
$\ge$ 4.50 g/cm³ (>99,5% densidad teórica) |
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Opciones de vinculación |
Aleación no adherida (monolítica) o de indio/elastómero/Cu- unida a placas de respaldo de cobre o aluminio OFHC |
Características clave
Tamaño de grano controlado:Las distribuciones de granos finos y equiaxiales suprimen las picaduras localizadas y reducen la formación de nódulos objetivo durante ciclos de deposición prolongados.
Bajas impurezas intersticiales:La fusión al vacío mantiene límites estrictos de nivel de ppm-de oxígeno, nitrógeno, hidrógeno y carbono para eliminar la contaminación de la película.
Matriz de alta densidad:Las estructuras completamente densas eliminan los microporos internos, lo que evita la formación de micro-arcos durante procesos de pulverización catódica reactiva de alta-tasa.
Integridad de la interfaz térmica:La unión optimizada de indio o difusión mantiene una conductividad térmica superior a 120 W/mK, lo que evita la delaminación por tensión térmica bajo cargas de alta densidad de potencia.
Aplicaciones
Semiconductores y microelectrónica:Capas de barrera, capas de contacto y metalización de interconexiones en la fabricación de circuitos integrados.
Recubrimientos ópticos:Pilas antirreflectantes (AR), filtros dieléctricos y capas de óxido conductor transparente (TCO) para óptica de precisión.
Pantallas planas:Electrodos conductores y capas tampón para líneas de fabricación de OLED y LCD.
Vidrio arquitectónico y automotriz:Control solar y revestimientos de acristalamiento arquitectónico de baja-emisividad (Low-E).
Desgaste y revestimientos duros decorativos:Recubrimientos funcionales de nitruro de titanio (TiN) y carbonitruro de titanio (TiCN) para herramientas de corte, hardware industrial y componentes automotrices.
Personalización y fabricación
Fusión y procesamiento termomecánico:Refusión por arco al vacío (VAR) combinada con forjado en caliente multi-ejes y rutas de laminación cruzada- para eliminar la anisotropía mecánica direccional.
Mecanizado de precisión:Las operaciones de fresado CNC y rectificado de superficies logran tolerancias de planitud dentro de +/- 0.1 mm y rugosidad de la superficie de hasta Ra < 0,4 um.
Geometrías personalizadas:La fabricación maneja contornos rectangulares, circulares, de segmentos divididos-, de juntas escalonadas y personalizados asignados directamente a dibujos de cátodos patentados.
Ingeniería de placa de respaldo:Diseño y fabricación personalizados de placas de soporte de cobre o aluminio OFHC con canales de agua de refrigeración alineados con precisión-y ranuras de sellado de juntas tóricas.
Control de calidad y certificaciones
Verificación analítica:La espectrometría de masas de descarga luminosa (GDMS) o ICP-OES certifica la pureza en masa y los niveles de trazas de impurezas metálicas/intersticiales.
Inspección Metalúrgica:La microscopía óptica y la difracción de retrodispersión electrónica (EBSD) confirman la uniformidad del tamaño del grano y la orientación cristalográfica.
Pruebas no-destructivas (END):Las pruebas de escaneo ultrasónico C-verifican el 100% de la integridad de la unión, lo que garantiza cero bolsas no adheridas que superen los 3 mm de diámetro.
Trazabilidad y Cumplimiento Normativo:Producido bajo un sistema de gestión de calidad certificado ISO 9001. Cada lote de producción se envía con un Certificado de análisis (CoA) detallado vinculado al número de calor del lingote específico, junto con plantillas de informes RoHS, REACH y minerales en conflicto (CMRT) completamente verificadas.
Embalaje y entrega
Sellado al vacío protector:Empaquetados individualmente en bolsas de polietileno anti-estáticas y sellados al vacío-en entornos purgados con nitrógeno-para evitar la oxidación durante el tránsito.
Protección contra impactos:Asegurado con inserciones de espuma de suspensión de polietileno de alta-densidad dentro de cajas de madera de calidad-de exportación para evitar que los bordes se astillen, se doblen o dañen la superficie.
Logística Global:Envío de carga aérea y marítima internacional coordinado respaldado por documentación completa de despacho de aduanas.
Preguntas frecuentes
P: ¿Cuál es el plazo de entrega estándar para los objetivos planos personalizados de titanio?
R: Las dimensiones estándar del catálogo se envían en un plazo de 2 a 3 semanas. Las configuraciones personalizadas que requieren pasadas de laminado dedicadas, mecanizado complejo o fabricación de placas de respaldo especializadas suelen requerir de 4 a 6 semanas.
P: ¿Cómo se prueba y verifica la integridad de la unión antes del envío?
R: Cada objetivo adherido se somete a pruebas no-destructivas de escaneo C-100% ultrasónico. El mapa de inspección debe verificar que el área interfacial no adherida exceda los umbrales internos estrictos, garantizando la estabilidad térmica bajo cargas operativas.
P: ¿Qué nivel de pureza se debe especificar para las aplicaciones ópticas frente a las de semiconductores?
R: Las líneas de recubrimiento de película delgada-óptica generalmente funcionan de manera eficiente con una pureza del 99,9 % (3 N) al 99,95 % (3,5 N). Los procesos microelectrónicos y semiconductores avanzados requieren grados de pureza del 99,995% (4N5) o del 99,999% (5N) para evitar la contaminación por metales pesados y álcalis en las capas sensibles de los dispositivos.
P: ¿Se suministran documentos completos de cumplimiento normativo y ambiental para las auditorías corporativas?
R: Sí. La documentación completa, que incluye declaraciones RoHS, declaraciones REACH SVHC e informes de minerales en conflicto-CMRT, es estándar y se proporciona a pedido o con la documentación de envío.
P: ¿Qué factores principales causan micro-arco eléctrico durante la pulverización catódica y cómo lo previene la fabricación?
R: Los micro-arcos eléctricos suelen ser causados por anomalías de densidad localizadas, micro-poros de gas o inclusiones superficiales extrañas. La fusión al vacío controlada, el forjado termomecánico de múltiples-pasos y las rigurosas pruebas ultrasónicas eliminan los defectos internos para garantizar una generación de plasma estable y libre de arco-.
P: ¿Qué formatos de archivos digitales se aceptan para dibujos de ingeniería personalizados?
R: Se aceptan dibujos CAD en formatos STEP, IGES, DXF o PDF que detallan dimensiones críticas, tolerancias, puntos de contacto eléctrico y configuraciones de canales de enfriamiento para revisión de ingeniería inmediata.
Solicitar una cotización
Envíe sus especificaciones técnicas o dibujos de ingeniería para recibir una cotización comercial formal, informes de pruebas de materiales (MTR) certificados, verificación de cumplimiento y plazos de entrega verificados.
Parámetros de RFQ requeridos:Grado de pureza del material (p. ej., 99,995 %), dimensiones exactas (largo x ancho x espesor), estado de la placa de respaldo (sin unir o unida con el tipo de material) y volumen estimado de adquisición anual o por lotes.
Contacto directo de ingeniería y ventas:[Insertar correo electrónico/enlace del formulario de envío de solicitud de cotización]
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